NEDO公募「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業/先端半導体製造技術の開発」に採択(再委託)されました。
研究開発テーマ：「Beyond 2nm及び短TAT半導体製造に向けた技術開発」
グローバルウェーハズ・ジャパン株式会社は、NEDO（国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術総合開発機構）による2024年度公募の『ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業/先端半導体製造技術の開発』において、技術研究組合最先端半導体技術センター(LSTC)が提案した「Beyond 2nm及び短TAT半導体製造に向けた技術開発」が採択され、再委託先として本研究開発に参画することになりました。
[決定] 「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業／先端半導体製造技術の開発」に係る実施体制の決定について
当社が参画する「Beyond 2nm及び短TAT半導体製造に向けた技術開発」は2nm世代よりもさらに高性能な半導体(Beyond 2nm)実現に向けた革新的技術として、Beyond 2nm向けデバイス・材料・プロセス要素技術および短TAT・クリーンプロセス装置技術を開発します。当該技術の開発により、半導体の高性能化のみならず、⾧期化する半導体製造期間の短縮および早期な製品の市場投入を可能とし、我が国の半導体製造の競争力強化および半導体市場シェア挽回に大きく寄与します。半導体の更なる進化によるAI性能の飛躍的な向上と、短TAT化で、より多くの社会的ニーズへの対応を可能にし、社会課題解決とDX化推進に貢献します。
当社は本技術開発項目の一つである「1nm以細に拡張可能なBeyond 2nmデバイスプロセス要素技術開発」において、先端半導体製造に最適な高品質シリコンウェーハの研究開発を担当します。
研究開発項目：Beyond 2nm及び短TAT半導体製造に向けた技術開発について(PDF)
関連リンク:
技術研究組合最先端半導体技術センター(LSTC)_プレスリリース：
https://www.lstc.jp/news/LSTC_press_20240209.pdf
お客様からいただく個人情報は、
お問い合わせへの対応のためにのみ使用させていただきます。
土曜日・日曜日・祝日・年末年始ほか当社休業日にいただいた
お問い合わせにつきましては、翌営業日以降の回答となりますのでご了承ください。