ECAS®ウェーハ
"ECAS®" Series Engineered WaferGWJ独自の熱処理技術で
″用途に合わせて自在にカスタマイズ！″
ECAS®ウェーハは、先端半導体デバイス用に開発されたシリコンウェーハ製品です。
結晶技術および熱処理技術の革新的開発により生み出され、顧客のデバイスにカスタマイズできる製品です。
さらに先進の加工技術の開発により平坦度の向上を実現しました。
ECAS®ウェーハの熱処理技術について
グローバルウェーハズ・ジャパンではお客様の要望に応じてウェーハを自在にデザインすることが可能です。
| ECAS®ウェーハの熱処理技術 | 処理によるメリット |
|---|---|
| ゲッタリングサイトのサイズ・密度制御 | お客様の加工の工程で発生する汚染・混入する金属不純物の捕獲(ゲッタリング)能力の向上 |
| ウェーハ表面からBMD(Bulk Micro Defect)までの深さ調整 | お客様のデバイスに適した無欠陥層とゲッタリング層を形成することで歩留向上 |
| ウェーハ表層の酸素濃度調整 | 酸素濃度を高くすることでウェーハの強度を向上 |
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ゲッタリングサイトのサイズ・密度制御
熱処理技術により、ゲッタリングサイトのサイズ・密度を要望に応じて自在に調整することが可能です。
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ウェーハ表面からBMD(Bulk Micro Defect)までの深さ調整
熱処理技術により、ウェーハ表面からゲッタリングサイトまでの幅(無欠陥領域)を調整することが可能です。
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ウェーハ表層の酸素濃度調整
熱処理技術により、表層の酸素濃度を要望に応じてデザインすることが可能です。
- ※ 図の白黒の濃淡は酸素不純物濃度を表現しています。
- ※ ウェーハ表層（表面から数μm～数10μm）の深さの酸素濃度は、熱処理技術により制御しています。
- ※ ウェーハ内部（バルク）の酸素濃度は、結晶成長技術により制御しています。
ポリッシュトウェーハ
Polished Waferポリッシュトウェーハはシリコンウェーハの片面、あるいは両面に鏡面研磨を施したウェーハです。
高平坦度、高清浄度、適切なゲッタリングなど、優れた特性をもつ
グローバルウェーハズ・ジャパンのポリッシュトウェーハは先端メモリデバイスなどのニーズにマッチした高品質・高精度な製品として高い評価を得ています。
エピタキシャルウェーハ
Epitaxial Waferポリッシュトウェーハの表面に所要規格のシリコン単結晶を気相成長させたエピタキシャルウェーハは、トランジスタ、ダイオードなどの個別素子、
またバイポーラ型およびMOS型のIC用基板に利用されています。
当社では、埋込み拡散ウェーハをはじめ各種多層構造のエピタキシャルウェーハの要求に広く対応しています。
とりわけ当社の注力している、パワーデバイス製品は電力制御を行う機器に多く用いられ、エネルギー利用の効率化に寄与しています。
Hiウェーハ®
Hi-WAFER®Hiウェーハ®（水素アニールウェーハ）は水素処理を施し、高い内部ゲッタリング能力ならびにウェーハ表面のCOPフリーを実現しています。
これらの特性により、優れた酸化膜特性を持ち合わせたウェーハです。
Hyper Hiウェーハ®
Hyper Hi-WAFER®Hyper Hiウェーハ®（水素アニールウェーハ）は最先端デバイス対応用に開発された製品です。
結晶技術の改善および水素処理の最適化、さらには加工技術の向上により従来のHiウェーハ® に比べ、内部ゲッタリング能力ならびに平坦度特性の向上そしてLSTD密度の低減を実現しています。
従来のシリコンウェーハはもとより、Hiウェーハ® に対しても、接合リーク特性などの電気特性は一段と改善されており、微細化対応のためのフラットネス特性等も極めて優れた製品です。
先端微細化製品向けウェーハはLSIデバイスの微細化に寄与し、デバイスプロセスの微細化は動作電圧の低減という形で省エネルギーに寄与しています。
ATウェーハ
AT-WaferATウェーハ（アルゴンアニールウェーハ）は、高品質基板をアルゴン処理することにより、表面の無欠陥性と優れた内部ゲッタリング能力を両立させた製品です。
Hyper Hiウェーハ® 同様、微細化デバイス対応用に開発されたウェーハで、表面近傍のボロンプロファイルがフラットであるという特長を持っています。
先端微細化製品向けウェーハはLSIデバイスの微細化に寄与し、デバイスプロセスの微細化は動作電圧の低減という形で省エネルギーに寄与しています。
拡散ウェーハ
Diffused Wafer主にパワーMOS-FET、IGBT、バイポーラトランジスタ等に用いられています。
精密に管理されたプロセスにより正確な拡散濃度、拡散深さ、非拡散層厚さが確保されている当社の拡散ウェーハは、ユーザーの製造工程における制御が容易であり、
デバイスの設計上、有利な諸条件を備えた優れた製品として好評を得ています。
拡散ウェーハはもともと電力制御系統の製品用途に用いられる割合が高く、エネルギー利用の効率化に寄与しています。
拡散ウェーハ 一般仕様
※ 詳細の仕様については個別にご相談ください。
| 項目 | 直径 | |||
|---|---|---|---|---|
| φ5″ | φ6″ | |||
| ウェーハ構造 | N-/N+, N-/P+, P-/P+ | |||
| 結晶製法 | MCZ, CZ, FZ | |||
| 結晶方位 | (100), (111) | |||
| 非拡散層 (Xi) のタイプ (Dopant) | N（Phos, Phos（NTD））, P（Boron） | |||
| 拡散層 (Xj) のタイプ(Dopant) | N+（Phos.）, P+（Boron） | |||
| 拡散層 (Xj) | 深さ | (μm) | 50 ～ 250 | |
| 公差 | (μm) | ±10 | ||
| 非拡散層 （Xi）（I層） | 幅 | (μm) | 20 ～ 300 | |
| 公差 | (μm) | ±5 | ||
| ウェーハ厚さ | 厚さ | (μm) | 200 ～ 350 | |
| 公差 | (μm) | ±15 | ||
| 反り (Warp-bf) | (μm) | ≦250 | ≦300 | |
厚膜SOIウェーハ
Thick SOI Wafer厚膜SOIウェーハはパワーデバイス、MEMS (Micro Electro-Mechanical System)などに幅広く採用されており、SOI(Silicon On Insulator)構造を活かしてパワーデバイスでは高耐圧、低消費電力化が進められています。
また、MEMSではBOX層を深堀エッチングのストッパーとして利用することで複雑な３次元構造の素子化が可能となり、多種のMEMSに採用されております。
当社では貼り合わせ方式を採用したSOIにより膜厚の均一性とカスタマイズされた仕様での提供が可能です。
当社厚膜SOIウェーハの特長
従来の貼り合わせSOIウェーハは、未接着部分を回避するためテラスを形成していますが、テラスはウェーハ面積の約10％程度を占める場合もあります。
当社では基板直径を専用化して、従来あったテラス部を無くしています(テラスフリー)。
そのため、通常ウェーハと同様に取り扱え、デバイス形成面積をより大きく取ることが可能になりました。
厚膜SOIウェーハ 一般仕様
*1： (111),および(110)結晶については、別途ご相談下さい。
*2： φ6”のみ、基板厚さが400μm以上での対応となります。
なお、裏面仕上げはPolished限定、裏面酸化膜無しとなります。
*3： 中間酸化膜厚が0.5μm以下の場合、膜厚公差は≦10%となります。
必要に応じてご相談下さい。
また、 > 2.0μmのご要求については別途ご相談ください。
※ 詳細、およびその他の仕様については、個別にお問い合わせください。
| 項目 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 100mm | 125mm | 150mm | |||
| 結晶方位 | （100）, （111)*1, （110)*1 | ||||
| 電気伝導性（Dopant） | N（Phos., Sb）, P（Boron） | ||||
| 活性層厚さ | (μm) | 3.0～300.0 | |||
| 活性層厚さ公差 | (μm) | ±0.5 (標準プロセス品） | |||
| ±0.3 (高精度プロセス品）*2 | |||||
| 中間酸化膜厚さ | (μm) | ≦2.0 *3 | |||
| 中間酸化膜厚さ公差 | (%) | ±5.0 *3 | |||
| 基板厚さ | (μm) | 250～625 | |||
Double Layer SOI
活性層とBOX層を複数有する厚膜SOIウェーハの開発にも着手しています。
個別の仕様、およびサンプルのご要求についてはお問い合わせください。
小口径DSP(両面研磨)ウェーハ
Small diameter DSP (Double Side Polished) Wafer従来、半導体用途の小口径ウェーハにおけるウェーハ裏面は梨地仕上げ(ケミカルエッチング仕上げ)がグローバルスタンダードでした。
一方、昨今では各種センシングデバイス用に薄厚かつウェーハの裏面にも表面と同等の研磨品質をご所望のお客様、
MEMSやSAWフィルタデバイス用の材料基板など高平坦度をご所望のお客様から小口径両面研磨ウェーハのお問い合わせをいただいておりました。
このようなVOCにお応えし、当社がこれまで拡散ウェーハ、厚膜SOIウェーハの製造によって培ってきた高精度加工技術を応用して
150mm以下の口径を対象とした高平坦・両面研磨ウェーハを製品化しました。
結晶にはシリコン単結晶として最も一般的であるチョクラルスキー法(CZ，MCZ)の他、
格子間酸素濃度が極めて低く、かつ高抵抗率を達成できるフロートゾーン法(FZ)をご用意しています。
DSPウェーハの一般仕様
* 個別の仕様によって
モニターウェーハを使用した測定・保証となる場合があります。
※ 詳細、およびその他の仕様については、個別にお問い合わせください。
| 項目 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| 一般仕様 | |||||
| 直径 | 100mm, 125mm, 150mm | ||||
| 結晶製法 | CZ, MCZ, FZ | ||||
| 結晶方位 | (100), (111) | ||||
| 電気伝導性/ドープ剤 | N(Phos., Phos.(NTD), Sb) | ||||
| P(Boron) | |||||
| ウェーハ厚さ | (μm) | 300～1000 * | |||
| ウェーハ厚さ公差 | (%) | ±10.0 * | |||
| TTV | (μm) | ≦1.0 * | |||
製品一覧
Product Line| 製品名 | タイプ | 用途 | 100mm | 125mm | 150mm | 200mm | 300mm |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ポリッシュトウェーハ | ECAS®ウェーハ | Memory(DRAM,NAND)／Logic／Analog／ Image Sensor/IGBT |
〇 | ||||
| CZウェーハ | 〇 | 〇 | |||||
| FZウェーハ | IGBT/Diode | 〇 | |||||
| 両面ポリッシュトウェーハ | Detector／MEMS／SAW device | 〇 | 〇 | 〇 | |||
| アニールウェーハ | Hiウェーハ® | Memory(DRAM,NAND)／Logic／Analog／ Image Sensor |
〇 | ||||
| Hyper Hiウェーハ® | 〇 | ||||||
| ATウェーハ | 〇 | 〇 | |||||
| エピタキシャルウェーハ | N/N+(As,Sb,Phos) | Discrete Devices／Small Signal／ Pw Transistor／IGBT／Bipolar IC |
〇 | 〇 | 〇 | ||
| P/P+ | 〇 | 〇 | 〇 | ||||
| N/P | 〇 | 〇 | 〇 | ||||
| N/N+/P+ | 〇 | 〇 | 〇 | ||||
| N/P BL=N+P+ | 〇 | 〇 | |||||
| P/P- | Memory(DRAM,NAND)／Logic／Analog／ Image Sensor |
〇 | |||||
| 拡散ウェーハ | N-/N+ | Pw Transistor／IGBT／Diode／Transistor | 〇 | 〇 | |||
| P-/P+ | 〇 | 〇 | |||||
| N-/P+ | Pw Transistor／IGBT | 〇 | 〇 | ||||
| 厚膜SOIウェーハ | N/SiO2/N | MEMS／Power Devices | 〇 | 〇 | 〇 | ||
| P/SiO2/P | 〇 | 〇 | 〇 |
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